一种多存储芯片封装结构及封装方法

本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种多存储芯片封装结构及封装方法。包括Soc芯片、Dram芯片，所述的Soc芯片上分别设有焊盘、导电结构一，Soc芯片通过焊盘连接SRAM芯片，Soc芯片通过导电结构一连接重布线层，DRAM芯片表面通过电连接结构与重布线层相连，重布线层一侧通过UBM层连接锡球，重布线层另一侧设有塑封层。同现有技术相比，通过大尺寸SRAM Chip外置于SoC上，进行SoC/SRAM/Dram多芯片扇出集成；通过大尺寸SRAM或多颗SRAM，提高高速缓存计算速度。