一种EMIB的MEMS传感器及其制备方法

本发明公开了一种EMIB的MEMS传感器及其制备方法，一种EMIB的MEMS传感器的制备方法，包括：S1、提供带有凹槽的基板；S2、将ASIC芯片通过粘片胶贴装于所述基板的凹槽内，烘烤固化形成互连桥结构；S3、将两个带有TSV结构的Si基FC倒装芯片通过倒装焊接工艺固定于所述基板上，并通过回流固化工艺实现Si基FC倒装芯片与基板的互联导通；S4、将MEMS加速度计芯片和MEMS陀螺仪芯片分别通过粘片胶贴装于所述Si基FC倒装芯片表面，烘烤固化；S5、通过打线工艺将MEMS加速度计芯片和MEMS陀螺仪芯片与对应的所述Si基FC倒装芯片互联导通；S6、对整体结构进行塑封封装。本发明实现了传感器芯片封装外形尺寸的进一步缩小，同时提高了芯片间的互联效率与信号传输质量，降低了制程不良率。