一种LED集成芯片的制备方法及显示器件的制备方法

本发明涉及LED芯片技术领域，具体为一种LED集成芯片的制备方法及显示器件的制备方法，其中，LED集成芯片制备过程中，首先将外延层划分为发光区、电极区，再对外延层进行刻蚀，在发光区形成若干阵列分布的发光体，再在电极区制备连接层、N电极，N电极通过连接层与第一N型GaN层电连接，形成共阴极结构，由此获得的LED集成芯片中，N电极位于发光区以外的电极区中，未占用发光体空间，有利于发光体尺寸的进一步缩小。将上述LED集成芯片应用于显示器件中，通过键合结构将LED集成芯片与驱动单元倒装互连，获得一电学性能稳定的显示器件。