SiC MOSFET模块应力波源反演方法、装置、设备及存储介质

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SiC MOSFET模块应力波源反演方法、装置、设备及存储介质
申请号:CN202510869951
申请日期:2025-06-26
公开号:CN120781608A
公开日期:2025-10-14
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种SiC MOSFET模块应力波源反演方法、装置、设备及存储介质。涉及功率器件封装状态检测技术领域。该方法包括:构建应力波在DBC板中传输的仿真模型;其中仿真模型包括DBC板模块以及设置于DBC板模块下方的陶瓷压电传感器模块,在DBC板模块上表面添加应力载荷作为激励,并以高斯脉冲模拟应力载荷;根据激励源与DBC板底部的应力波信号确定传递函数;搭建DBC板应力波传播实验系统,获取应力波穿透信号;根据传递函数与应力波穿透信号,计算得到应力波源的频域信号和时域信号。本申请通过对模块底部的应力波信号进行测量,成功对应力波源的信号进行了还原。
技术关键词
DBC板 应力 反演方法 陶瓷压电传感器 仿真模型 计算机执行指令 换能器 功率器件封装 接收端 状态检测技术 脉冲 载荷 阻尼 测试点 信号采集模块 反演装置 可读存储介质 功率模块