一种LED外延结构及其制作方法、LED芯片和发光装置

本申请提供一种LED外延结构及其制作方法、LED芯片和发光装置。LED外延结构包括位于衬底一侧表面的外延叠层；外延叠层包括N型限制层、N面波导层、有源层、P面波导层和P型限制层；P面波导层包括沿背离有源层的方向依次设置的第一波导层、第二波导层和第三波导层；第一波导层包括AlGalnP,且第一波导层中AlGalnP的Al组分沿背离有源层的方向从第一预设值逐渐增加至第二预设值；第二波导层包括AlGalnP,且第二波导层中AlGalnP的Al组分为第二预设值；第三波导层包括AlGalnP,且第三波导层中AlGalnP的Al组分沿背离有源层的方向从第二预设值逐渐减小至第三预设值。该LED外延结构有助于改善载流子的分布均匀性，减少电流拥挤现象并且抑制电子的泄露，进而提升LED外延结构的稳定性和发光效率。