一种SiC晶锭的激光剥离装置

本发明公开了半导体材料激光加工技术领域的一种SiC晶锭的激光剥离装置，包括密封罩和剥离片，密封罩上端固定安装有密封盖，密封盖和密封罩形成一个密闭空间，密闭空间内设置有剥离组件，剥离组件包括：剥离框架，剥离框架上端设置有激光输出机构，激光输出机构包括多脉冲动态切换的系统，可以动态切换飞秒、皮秒及纳秒脉冲宽度，能够灵活适配晶体内部缺陷区及掺杂层等非均匀区域的应力分布和裂纹扩展特性；散热机构，散热机构包括气体循环单元和气体导向件，本发明通过飞秒/皮秒/纳秒脉宽动态切换，适配非均匀区域导电及热扩散特性，实现缺陷区和导电型过渡区裂纹/应力精准控制，确保高出片率和低损耗，适用于大尺寸高质量SiC晶片生产。