一种碱性半导体芯片清洗液、及其制备方法与应用
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一种碱性半导体芯片清洗液、及其制备方法与应用
申请号:
CN202510874880
申请日期:
2025-06-27
公开号:
CN120843206A
公开日期:
2025-10-28
类型:
发明专利
摘要
本发明涉及一种碱性半导体芯片清洗液、及其制备方法与应用,其中碱性半导体芯片清洗液,按照重量份计算包括如下组分:醇胺类物质5‑30份;缓蚀剂1‑10份;季铵碱20‑50份;螯合剂1‑10份;超纯水10‑20份;有机溶剂10‑20份。本发明采用吗啉基胺类物质作为缓蚀剂,吗啉环中氮原子和氧原子均含有未成键电子,能提供强配位点,与金属表面发生化学吸附,形成更牢固的键合;同时,吗啉环通过氮原子连接到其他基团上,使缓蚀剂能吸附于金属表面,提高缓蚀效果。
技术关键词
清洗液
阿糖胞苷
醇胺类物质
缓蚀剂
碱性
清洗半导体芯片
螯合剂
超纯水
吗啉基
二乙基
二甲基乙酰胺
二甲基丙
异丙醇胺
二甲基甲酰胺
丙酰胺
噻唑