一种高可靠性跨台阶MEMS芯片电极层的制备方法

申请号：CN202510876120

申请日期：2025-06-27

公开号：CN120793837A

公开日期：2025-10-17

类型：发明专利

摘要

本发明提出一种高可靠性跨台阶MEMS芯片电极层的制备方法，该方法包括以下步骤：在硅片表面制备第一氧化硅层；对第一氧化硅层进行图形化；制备硅沟槽结构；去除剩余的第一氧化硅层；首次制备第二氧化硅层；去除第二氧化硅层；重复制备第二氧化硅层；在第二氧化硅层上制备金属膜层。上述用于制备硅基跨台阶MEMS芯片电极层的方法，可以提高电极层的加工可靠性。

技术关键词

MEMS芯片二氧化硅热氧化方法台阶硅沟槽电极硅片沟槽结构四甲基氢氧化铵热氧化技术湿法腐蚀工艺气相沉积技术溶液层厚度氢氧化钾光刻胶氢氟酸尺寸