摘要
本发明提出一种高功率SOA外延结构、芯片及芯片的制备方法，所述外延结构从下到上依次包括衬底、N‑InP缓冲层、多层交替出现的InGaAsP高折层和N‑InP缓冲层、N‑InP层、InGaAsP SCH层、MQW层、InGaAsP SCH层、高掺杂P‑InP层、InGaAs欧姆接触层；所述多层交替出现的InGaAsP高折层和N‑InP缓冲层中，相邻的两层InGaAsP高折层之间设置有N‑InP缓冲层。本专利的高功率SOA芯片通过设计低光场限制因子的外延结构，结合BH波导结构，显著提升饱和输出功率。
