一种总剂量加固的耗尽型MOSFET制作方法和器件

本发明属于功率半导体器件技术领域，特别涉及一种总剂量加固的耗尽型MOSFET制作方法和器件。包括提供衬底层和外延层；在外延层上制作终端耐压环和元胞区P阱区；通过对元胞区沟道部分进行进行光刻和N‑杂质注入；通过生长场氧SiO2介质进行有源区制作，以及进行N+杂质、P+杂质光刻、注入和退火激活，形成源、漏和体区；通过生长栅氧SiO2介质；通过生长SiO2介质作为隔离层进行全面覆盖，以进行接触孔的光刻和干法腐蚀；完成金属层淀积、光刻和腐蚀，在完成以上功能设计和制作基础上再进行钝化介质层的化学淀积、光刻和腐蚀。本发明完成了阈值电压精准调整，同时实现了元胞和终端双耐压。