一种双晶约瑟夫森结阵列芯片的制备方法以及双晶约瑟夫森结阵列芯片

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一种双晶约瑟夫森结阵列芯片的制备方法以及双晶约瑟夫森结阵列芯片
申请号:CN202510883284
申请日期:2025-06-28
公开号:CN120995974A
公开日期:2025-11-21
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种双晶约瑟夫森结阵列芯片的制备方法以及双晶约瑟夫森结阵列芯片,涉及电子信息技术领域,解决了一般双晶约瑟夫森结阵列芯片的几何参数一致性差和高频损耗严重的问题。本发明通过几何拓扑优化串联双晶约瑟夫森结的图案设计,解决了传统手工设计导致的几何参数波动问题,从而使得串联结构的临界电流一致性提高,提高了芯片性能;通过仿真优化微波耦合天线的参数,实现微波耦合天线与串联双晶约瑟夫森结在接发高频射频信号场景下的信号高保真度,提高双晶约瑟夫森结阵列芯片的工作频率上限,同时减少信号传输损耗,能够满足量子计算芯片的高频探测需求。
技术关键词
约瑟夫森结阵列 耦合天线 曝光光刻技术 高温超导薄膜 钛酸锶 微波 芯片 基片 图案 信号 射频 掩膜 电子信息技术 参数 模版 场景 仿真软件 电极 频段