一种提升磷化铟晶圆开管扩散均匀性的区域性掩膜方法

本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种提升磷化铟晶圆开管扩散均匀性的区域性掩膜方法，在介质层表面依次沉积扩散源薄膜和保护膜，经光刻胶图案化，二次沉积保护膜以及剥离工艺后，通过干法刻蚀暴露两侧扩散源薄膜。高温扩散时，中间区域的扩散源薄膜向下扩散至InP衬底，而两侧则会挥发，避免边缘浓度梯度。通过多层掩膜设计与选择性刻蚀，抑制扩散源薄膜中的元素组分在扩散孔边缘的富集，实现对InP晶圆表面待扩散区域的均匀掺杂。本发明能够防止扩散源与溶剂接触造成的分解，从而有效提升工艺复现性。该工艺显著提升结区浓度分布均匀性，适用于高性能红外光电芯片制造，为晶圆区域性掩膜提供了一种新的思路。