用于对半导体器件进行热力仿真的方法和相关设备

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用于对半导体器件进行热力仿真的方法和相关设备
申请号:CN202510887346
申请日期:2025-06-27
公开号:CN120706273A
公开日期:2025-09-26
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种用于对半导体器件进行热力仿真的方法和相关设备。包括:从仿真模型分割出多个子域单元;每相邻两个子域单元中一者为目标子域单元,另一者为邻域单元;通过子域编码器对每个子域单元的热力特征进行编码,得到子域单元各自对应的采样潜向量组;对每个目标子域单元和相应的邻域单元的采样潜向量组进行组合,得到与每个目标子域单元对应的输入潜向量集;通过通量守恒自编码器对输入潜向量集进行处理,得到输出潜向量集;通过与子域编码器对应的子域解码器对输出潜向量集进行解码,以得到目标子域单元对应的目标热力特征。本发明可解决现有技术中芯粒系统的热力仿真中算力消耗过大的问题,显著降低算力消耗,实现节省算力的效果。
技术关键词
半导体器件 编码器 仿真模型 笛卡尔坐标系 邻域 深度神经网络架构 三维模型 解码器 计算机程序产品 处理器 计算机设备 可读存储介质 采样点 存储器 版图 变量 功率