针对陶瓷封装芯片的失效分析方法

本发明提供了一种针对陶瓷封装芯片的失效分析方法，包括：对样品进行第一次电性测试；去除玻璃盖板，进行第二次电性测试；若第二次电性测试测得的电性与第一次电性测试测得的电性一致，则对像素芯片进行第一次热点抓取；将样品放入容器中，向容器中加入填充剂；填充剂固化后，对样品的逻辑芯片一侧进行研磨，直至逻辑芯片的衬底晶面全部出现；去除填充剂，取出像素芯片和逻辑芯片，进行第三次电性测试；若第三次电性测试测得的电性与第二次电性测试测得的电性一致，则对逻辑芯片进行第二次热点抓取。本发明可以在不损伤芯片的前提下，将陶瓷基底和芯片分离，实现逻辑芯片与像素芯片的热点定位，解决陶瓷基封装去除困难以及热点定位困难的问题。