一种模拟芯片用非挥发性存储结构以及方法

本发明提供一种模拟芯片用非挥发性存储结构以及方法，涉及模拟芯片数据存储技术领域，采用模拟芯片的金属层走线作为数据存储源，将所述金属层走线划分为多个子集，每个子集对应一个基本单元，所述存储结构包括总控制器和多个基本单元；基本单元用于获取金属层走线中的对应数据，并在模拟芯片上电时输出获取的数据到数据总线；总控制器用于接收数据总线上的数据，并将所述数据存储到模拟芯片的内部存储器中。本发明通过使用金属层走线作为数据存储源，同时通过分布式的控制单元将金属层走线汇集，并通过数据传输协议将所存储数据在上电时加载到芯片内部存储器，完成了替代传统非挥发性存储器的功能。