一种格网电离层的垂直延迟计算方法、装置及存储介质

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一种格网电离层的垂直延迟计算方法、装置及存储介质
申请号:CN202510894680
申请日期:2025-06-30
公开号:CN120781679A
公开日期:2025-10-14
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种格网电离层的垂直延迟计算方法、装置及存储介质,其中方法包括:将格网电离层的垂直延迟估计值简化为I GP绝对误差偏差、I PP序列平均值和I PP序列标准偏差;引入若干个调整系数,根据调整系数和简化项构建垂直延迟计算公式;基于调整系数,根据电离层延迟改正估值和电离层延迟实际值构建垂直延迟评估函数;利用优化算法确定最优调整系数,其中最优调整系数为评估函数达到最大值时的调整系数;将最优调整系数代入到垂直延迟计算公式中,当计算得到的垂直延迟满足置信度水平时,将计算得到的垂直延迟确定为最终垂直延迟。本发明通过引入调整系数准确计算得到格网点电离层的垂直延迟,能够满足高精度定位需求。
技术关键词
延迟计算方法 格网 延迟参数 序列 粒子 偏差 可读存储介质 计算机 算法 表达式 处理器 模块 球面 终端设备 存储器 误差 速度 代表