摘要
本发明公开一种半导体芯片电性能测试方法及系统，通过获取芯片在各频段下的介质损耗数据、内部材料特性及动态负载功率因数，建立介质损耗与损耗频率的映射关系，识别损耗异常区域并分析其对芯片性能的影响，采用最小均方误差算法校正测试数据，优化供电网络阻抗和功能模块动态开关特性；计算芯片内部各层击穿电压分布，识别高压风险区域，利用梯度下降算法优化电压分布，动态调整工作电压和电流；通过滑动窗口算法分析功率因数波动，识别异常区域，采用PID算法优化功率因数，提升芯片在动态负载的工作状态和瞬态响应。本发明解决高频介质损耗非线性、击穿电压分布不均及动态负载下功率因数响应不稳定的问题，实现对芯片性能的全面准确评估和优化。
