摘要
本发明公开了一种制备CZT高能量分辨率辐射芯片的方法，属于电器元件生产技术领域，包括：S1.生长CZT晶体；S2.采用CZT晶体制备出所需的CZT片；S3.对CZT片注入一定剂量的氟离子；S4.对注入氟离子后的CZT片进行退火工艺，使氟离子在CZT片中均匀扩散，以改善CZT晶体生长时的晶格缺陷；S5.在CZT片的阴极表层注入铟离子，以提高CZT片的电阻率，以及改变CZT片的能带结构，产生更强的辐射信号；S6.再次进行退火工艺，以使铟离子在CZT片的表层分布的更加均匀；S7.在CZT片的阴极面镀铂，在CZT片的阳极面镀铟；S8.将CZT片与探测器的阴极和阳极分别进行连接，然后采用壳体进行封装。本发明具有改善晶格缺陷，提高载流子迁移寿命乘积的优点。
