一种等离子体光刻掩模优化方法、装置、设备和介质

本申请提供一种等离子体光刻掩模优化方法、装置、设备和介质，S1，获取等离子体光刻成像模型，S2，通过等离子体光刻成像模型进行成像计算，得到目标掩模图案在光刻胶层中的空间像光强分布；S3，基于空间像光强分布和光刻胶层的光刻胶模型，确定在光刻胶层中的显影轮廓；S4，将显影轮廓和初始掩模图案之间的图案误差作为评价函数，通过随机并行梯度下降法对目标掩模图案进行掩模优化，得到优化掩模图案。本申请通过随机并行梯度下降算法对初始掩模图案进行优化，使得优化掩模图案所对应的显影轮廓与想要实现的初始掩模图案的图案差异较小，大大提高了掩模优化的效率和准确率，提高了等离子体光刻成像的保真度。