一种功率半导体的封装结构及封装方法

本发明提供了一种功率半导体的封装结构及封装方法，所述功率半导体的封装结构包括引线框架基岛、设置于所述引线框架基岛上的芯片、与所述引线框架基岛一体成型且分别设置于所述引线框架基岛两侧的D极引脚、设置于所述芯片顶部的S极铜片、设置于所述引线框架基岛一侧的引线框架G极引脚以及包裹所述芯片、所述引线框架基岛、所述S极铜片和所述引线框架G极引脚的塑封体，所述S级铜片包括一倒梯形凹槽和分别从所述倒梯形凹槽的两个边缘延伸出来且与所述倒梯形凹槽的底面平行的两个S极引脚，所述倒梯形凹槽的底部与所述芯片顶部相连接，所述S极引脚的至少一个表面暴露于所述塑封体外，所述引线框架基岛的背面暴露于所述塑封体外。本发明的功率半导体的封装结构具有散热效率高的优点。