摘要
本发明提供一种射频芯片至基片集成波导的过渡结构，该过渡结构包括：基片集成波导和射频芯片。基片集成波导包括基板、第一通孔、第二通孔以及耦合结构，第二通孔为基片集成波导的接地端；耦合结构位于两排第一通孔之间；射频芯片位于耦合结构的上方。该过渡结构在应用过程中，射频芯片的射频信号进入基片集成波导，耦合结构改变表面电流激发多模谐振，将射频信号以电磁波的形式耦合至基片集成波导，由于第二通孔接地，因此电磁波在沿着第一通孔的排布方向进行传输的过程中，通过第二通孔进行阻抗匹配。本发明通过耦合结构、第一通孔和第二通孔之间的配合，使得过渡结构具有宽带低损耗的特性，且不设置微带线，进而避免产生辐射损耗。
