半导体器件及其制备方法

本公开涉及半导体芯片技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括第一区域，以及位于所述第一区域周围的第二区域,所述半导体器件包括衬底、功能层以及漂移层,功能层设于所述衬底之上,漂移层设于所述功能层远离所述衬底的一侧，所述漂移层的掺杂类型与所述功能层的掺杂类型相同,其中，所述功能层包括第一子功能层及第二子功能层，所述第一子功能层设置于所述第二区域，所述第二子功能层设置于所述第一区域,所述第二子功能层的掺杂浓度大于所述第一子功能层的掺杂浓度。