智能超结半导体结构

本发明涉及一种智能超结半导体结构，其包括集成设置的主半导体和至少一个功能半导体，功能半导体包括功能隔离区以及设置在所述功能隔离区内部的功能有源区，功能有源区包括若干个平行设置的第一导电类型功能柱和第二导电类型功能柱，功能隔离区包括设置在第二导电类型功能柱两端上的第二导电类型第一延伸柱以及设置在功能有源区两侧的第二导电类型第二延伸柱，第二导电类型第一延伸柱和第二导电类型第二延伸柱的宽度均小于第二导电类型功能柱的宽度，本发明具有有效的降低了尖峰电场，可以保证有稳定的隔离电压，且电场曲线更平滑，达到相同隔离电压的基础上，可以有效缩小隔离终端面积，进而减少芯片面积，节约芯片面积的效果。