一种考虑栅电流效应的E-mode器件非线性电流模型参数提取方法

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一种考虑栅电流效应的E-mode器件非线性电流模型参数提取方法
申请号:CN202510946845
申请日期:2025-07-10
公开号:CN120449796B
公开日期:2025-09-23
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种考虑栅电流效应的E‑mode器件非线性电流模型参数提取方法,涉及增强型器件建模技术领域。包括:建立E‑mode器件的非线性电流模型;提取晶体管寄生电阻;去除晶体管寄生电阻影响,计算非线性电流模型中本征区栅‑源和栅‑漏节点电压,得到本征的栅源电压和漏源电压;提取本征栅电流模型参数;从晶体管实测漏‑源电流中融合栅电流分量的影响得到本征部分的漏源电流分量;提取本征非线性漏‑源电流模型参数;将本征非线性漏‑源电流模型参数值代入本征非线性漏‑源电流模型方程进行验证。本发明在传统非线性电流模型参数提取方法中引入栅电流分量计算,实现本征非线性电流源参数准确提取。
技术关键词
电流模型 晶体管 非线性 陷阱效应 电压 参数 电阻 增强型器件 等效电路模型 方程 建模技术 曲线 电流源 数据 脉冲 节点