基于双路径编码器的VCSEL芯片内部缺陷检测方法

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基于双路径编码器的VCSEL芯片内部缺陷检测方法
申请号:CN202510946975
申请日期:2025-07-10
公开号:CN120431103A
公开日期:2025-08-05
类型:发明专利
摘要
本发明涉及VCSEL芯片缺陷识别领域,具体为基于双路径编码器的VCSEL芯片内部缺陷检测方法,该方法基于缺陷检测网络VEASNet,该网络包括双路径编码器、解码器;双路径编码器包括深度特征提取残差模块DFER和多尺度特征提取融合模块MFEF,分别用于提取缺陷的深层语义信息和空间信息,采集的信息经过特征融合注意力模块FFA进行融合以学习不同路径编码器所提取的信息;特征融合注意力模块FFA输出的特征图通过跳跃连接输入到解码器,解码器输出分割图像,分割图像显示出是否存在缺陷。本发明能够在对比度较差、纹理弱的中等挑战下对发光图像中的发光区域准确自动提取,大大降低了人力成本的同时,提升了检测效率。
技术关键词
内部缺陷检测方法 VCSEL芯片 深度特征提取 编码器 内部缺陷检测系统 图像采集模组 残差模块 辅助分类器 解码器 上采样 注意力 多尺度特征提取 网络 红外相机 分支 语义 图像采集平台