一种掩模版的图形校正方法及校正系统

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一种掩模版的图形校正方法及校正系统
申请号:CN202510947122
申请日期:2025-07-10
公开号:CN120428507B
公开日期:2025-09-09
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种掩模版的图形校正方法及校正系统,方法包括以下步骤:设置多个主图形和多个辅助图形,收集主图形和辅助图形光刻后的晶圆数据;在掩模版上搜寻与辅助图形具有相同特征尺寸的主图形,作为参照图形;获取参照图形从掩模版上被转印到晶圆上的缩放比例,按照缩放比例和掩模版上辅助图形的尺寸信息,获取辅助图形被转印到晶圆上的虚拟尺寸数据;以及将虚拟尺寸数据和晶圆数据作为光学邻近校正模型的建模参数,迭代建立光学邻近校正模型,直到校正误差小于阈值。本发明提供了一种掩模版的图形校正方法及校正系统,能够提升光刻的图形转印准确性,从而提升半导体制造良率。
技术关键词
图形校正方法 光学邻近校正模型 模版 校正系统 尺寸 校正误差 图形数据库 光刻制程 框架组合 参数 偏差 晶圆 电镜 图像 模块 半导体 良率