一种功率芯片直焊的半桥功率模块及其制造方法
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一种功率芯片直焊的半桥功率模块及其制造方法
申请号:
CN202510948559
申请日期:
2025-07-10
公开号:
CN120527317A
公开日期:
2025-08-22
类型:
发明专利
摘要
本申请提供了一种功率芯片直焊的半桥功率模块及其制造方法,半桥功率模块包括分离式散热板、封装盖板、封装外壳和功率组件,功率组件按给定桥式电路设置于分离式散热板上,封装外壳用于将分离式散热板电气绝缘并在分离式散热板、功率组件之间封装形成空腔,封装盖板设置在封装外壳上。本申请通过去掉DBC陶瓷基板,直接将功率芯片设置于金属散热板上,且本申请提供的功率模块中的金属散热板无需进行预留弧度设计,减少材料及工艺成本,缩小模块整体体积。
技术关键词
功率芯片
封装外壳
散热板
功率组件
活性金属焊料
封装盖板
半成品
插针
半桥功率模块
散热底板
信号
DBC陶瓷基板
灌胶设备
真空焊接
半桥电路
桥式电路结构
空洞