摘要
为克服现有多层芯片封装结构存在耐温性、可靠性和使用寿命不足的问题，本发明提供了一种芯片封装结构，包括基板、芯片和封装层，所述封装层和所述芯片位于所述基板上，且所述封装层包覆所述芯片，所述芯片包括多个存储芯片，多个所述存储芯片呈阶梯式错位层叠设置，以在多个所述存储芯片的一侧分别形成有阶梯面，所述存储芯片在所述阶梯面的位置设置有至少一个焊盘，相邻两个所述存储芯片的焊盘之间通过设置有引线相互连接，所述封装层的玻璃化转变温度为210℃~250℃，介电常数为2.8~3.2，拉伸强度为115~141MPa，断裂伸长率为5.7%~8%。
