摘要
本发明公开了一种远程等离子源的自适应控制方法及系统,涉及等离子控制相关技术领域,该方法包括:根据半导体刻蚀任务信息对远程等离子源进行多阶段控制挖掘;根据多阶控制触发空间进行多阶段协同控制解析;根据刻蚀风险因子,搭建刻蚀风险评估通道并对等离子源控制第一群进行模拟寻优;根据刻蚀综合风险约束对等离子源控制第二群进行综合风险寻优;根据等离子源控制第三群进行多轮变异联合寻优,获得等离子源控制策略并对远程等离子源进行自适应控制。解决了现有技术中存在的多阶段刻蚀工艺协同控制不足、刻蚀风险动态评估能力弱、参数优化效率低的技术问题,达到了提升远程等离子源控制的适应性、稳定性和工艺良率的技术效果。