芯片检测方法及装置

本发明提供了一种芯片检测方法及装置，涉及激光器的技术领域，本发明提供的芯片检测方法包括步骤：步骤S10.获取待检测芯片发出的横电模光的近场分布图像和横磁模光的近场分布图像；步骤S20.根据横电模光的近场分布图像和横磁模光的近场分布图像计算待检测芯片的偏振比K的值，其中，偏振比K为横电模光或者横磁模光的偏振比；步骤S30.将计算得到的偏振比K的值与标准范围进行比较；当偏振比K的值在标准范围内时，确定待检测芯片的应力合格；当偏振比K的值不在标准范围内时，确定待检测芯片的应力不合格;步骤S40.对于应力不合格的待检测芯片，根据其横磁模光的近场分布图像得出待检测芯片上导致应力不合格的缺陷位置。