摘要
本发明涉及一种多沟道氮化镓单片集成半桥芯片及制造方法，基于P型低掺硅基衬底层（1）与N型低掺硅基体区（2）形成PN结，以高阻区结构（9）划分低侧功率区与高侧功率区，分别由底部向上依次堆叠设置铝氮成核层（3）、至少两组氮化镓结构组、以及P型氮化镓栅帽层（7）与T型金属栅电极（8），再结合低侧第一金属源电极（11）、低侧第二金属源电极（12）、低侧金属漏电极（13）、高侧第一金属源电极（14）、高侧第二金属源电极（15）、高侧金属漏电极（16）所构建的混合电极，实现所设计半桥芯片，具有低反向导通损耗、高工作频率、以及高反向续流能力的性能优势。
