一种导体结构参数辨识方法、装置、电子设备及存储介质

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一种导体结构参数辨识方法、装置、电子设备及存储介质
申请号:CN202510974341
申请日期:2025-07-15
公开号:CN120805707A
公开日期:2025-10-17
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种导体结构参数辨识方法、装置、电子设备及存储介质,用于解决变压器运行过程中绕组结构无法直接观测,导致模型误差难以修正的技术问题。本发明包括:构建变压器漏磁解析计算模型;采集变压器中每个导体的输入电流,并在预设测点处记录相同时间步长下的实测磁场值;将输入电流代入变压器漏磁解析计算模型中,在采样时间内对预设测点磁场进行预测,得到预测磁场值;以实测磁场值与预测磁场值的均方误差为优化目标,构建代价函数;设置三类刚性约束,并采用遗传算法求解代价函数,得到导体的初始结构参数近似解;以初始结构参数近似解为初始点,采用基于SQP方法的梯度型约束优化算法求解代价函数,得到导体结构参数最优解。
技术关键词
变压器漏磁 结构参数辨识 导体 遗传算法求解 约束优化算法 构建代价函数 子模块 存储程序代码 电流 电子设备 可读存储介质 绕组结构 模型误差 处理器 存储器 计算机