离子束沉积仿真方法
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离子束沉积仿真方法
申请号:
CN202510975496
申请日期:
2025-07-15
公开号:
CN120995810A
公开日期:
2025-11-21
类型:
发明专利
摘要
本发明涉及光刻技术领域,特别涉及一种离子束沉积仿真方法。本发明通过在离子束沉积仿真过程中引入空气层建模,精确考虑沉积原子在传输过程中的能量损失,提高了仿真模型的物理真实性,并基于接受拒绝采样法生成初始能量,进而得到沉积原子到达衬底表面的最终速度,能够精确模拟沉积原子的传输过程,并预测离子束沉积后的表面粗糙度,显著提高了沉积仿真的精度,充分还原了沉积过程中的真实情况,从而生成高精度的仿真模型,提高了仿真模型的准确性和实用性,提升了表面粗糙度的预测精确度。
技术关键词
仿真方法
离子束
仿真模型
空气层
衬底
粗糙度
速度
光刻技术
参数
可读存储介质
计算机
软件
轨迹
处理器
坐标
物理
接口
精度