摘要
本发明属于单晶炉领域,具体的说是芯片生产用单晶炉腔体炉盖结构及制造方法,包括底座,所述底座的顶部固接有主炉室;所述主炉室顶部设有副炉室;所述副炉室内部设有结晶组件,结晶组件用于控制籽晶浸入高温熔液;所述主炉室内壁设有驱动轴;所述驱动轴顶部固接有石墨坩埚;所述石墨坩埚内壁固接有石英坩埚;所述主炉室内部固接有加热器,且石墨坩埚位于加热器内部;所述主炉室内壁底部固接有导流筒;高温蒸汽可通过热传导对吸热环内的冷媒介质进行加热,介质被蒸汽加热后可经过吸热环从出料管排出,同时通过排气管中部螺旋段的设置,可延长蒸汽流动路径,进而延长蒸汽对吸热环内介质的加热时间。