一种TEC芯片封装压接方法及在线真空压力烧结炉

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一种TEC芯片封装压接方法及在线真空压力烧结炉
申请号:CN202510978535
申请日期:2025-07-16
公开号:CN120854279A
公开日期:2025-10-28
类型:发明专利
摘要
本发明涉及芯片封装技术领域,提供一种TEC芯片封装压接方法及在线真空压力烧结炉。TEC芯片封装压接方法包括:包括:TEC工件及治具进入等离子清洗区,执行等离子清洗步骤;TEC工件及治具进入甲酸清洗区,执行甲酸清洗步骤;TEC工件及治具进入预热区,执行预热步骤;TEC工件及治具进入压接区,执行压接步骤;TEC工件及治具进入第一冷却区,执行第一冷却步骤;TEC工件及治具进入第二冷却区,执行第二冷却步骤。提高了TEC芯片封装质量。
技术关键词
压接方法 真空压力烧结炉 甲酸 速率 压头 工件 芯片封装技术 在线 温度恒定 恒温 恒压 插板阀 介质 超临界 分段 氮气 真空度