半导体封装结构及其制备方法

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半导体封装结构及其制备方法
申请号:CN202510988874
申请日期:2025-07-17
公开号:CN120809700A
公开日期:2025-10-17
类型:发明专利
摘要
本申请公开一种半导体封装结构及其制备方法,涉及半导体技术领域,该半导体封装结构包括第一芯片、第二芯片、第一塑封体、第二塑封体、第一重布线层和第二重布线层,第一塑封体包覆于第一芯片外,第一重布线层和第二重布线层分别设置于第一塑封体的相对两侧,第二芯片设置于第二重布线层远离第一芯片的一侧,第二塑封体包覆于第二芯片外,第二重布线层的热膨胀系数大于第一重布线层的热膨胀系数,第一重布线层内设置有至少一个打线以及包覆于打线的绝缘胶层。该半导体封装结构及其制备方法,能够解决传统封装结构因不同层级材料的热膨胀系数及收缩特性存在差异导致的翘曲问题,同时还能减少布线层间的寄生电容,从而提高器件性能。
技术关键词
半导体封装结构 布线 芯片 保护胶层 绝缘胶层 层级材料 焊球 拱形结构 连线 介质 台阶 导电柱 空隙