一种高功率芯片相变散热结构及制备方法

本发明提供一种高功率芯片相变散热结构及制备方法，通过优化的散热结构实现相变材料与芯片和盒体基板的一体化封装。采用带倒角的导流柱设计，当低温焊料熔化时过渡载板和导流柱受重力作用向下移动，将界面的空气排出，并在恢复室温时实现导流柱与相变材料的良好接触，从而降低界面热阻。同时，由于导流柱的下压，在气压作用下低温焊料向外侧回流并在回流槽中积聚，而不会向内扩散影响相变材料的成分。本发明通过优化散热结构可以避免芯片高功率工作时峰值温度迅速升高，同时减小散热结构体积，增强组件装配的灵活性，具有散热性能好、界面热阻低、可以应对短时间内的大量热量、稳定性好、应用范围广、结构简单、工艺简便、制备成本低的特点。