一种半导体结构及其制作方法、电子设备
# 热门搜索 #
大模型
人工智能
openai
融资
chatGPT
验证码登录
×
发送
登录即代表您已同意AITNT
用户协议
和
隐私政策
登录
登录成功后会自动刷新界面
AITNT公众号
AITNT APP
AITNT交流群
搜索
未登录
首页
AI中心
退出
首页
AI资讯
AI技术研报
AI监管政策
AI产品测评
AI商业项目
AI产品热榜
AI 源力市场
寻求报道
一种半导体结构及其制作方法、电子设备
申请号:
CN202510994425
申请日期:
2025-07-18
公开号:
CN120854294A
公开日期:
2025-10-28
类型:
发明专利
摘要
本申请提供一种半导体结构及其制作方法、电子设备,半导体结构的制作方法用于制作多个并联芯片的叠层半导体结构,制作时由于并未使用倒装芯片工艺(Flip Chip Bonding,简称FC),因此减少了高温暴露次数,避免FC工艺中多次高温回流焊带来的热循环应力,降低了材料界面分层和焊点过厚脆化的风险,从而减少了微裂纹产生,提升了产品良率和性能;同时简化了工艺流程,缩短了半导体结构的生产周期,还降低了设备与材料成本。此外,由于本方法中未使用填充胶,因此消除了底部填充胶在高温固化时的收缩应力。
技术关键词
半导体结构
芯片封装单元
布线
导电柱
制作方法制作
封装单元结构
金属走线
倒装芯片工艺
载板
叠层半导体
释放层
电子设备
电镀工艺
包裹
填充胶
热循环
电气