一种晶圆级砷化镓芯片散热封装结构及封装方法

本发明公开了一种晶圆级砷化镓芯片散热封装结构及封装方法，该封装结构中将主芯片和砷化镓芯片通过重布线层实现平面互联，在砷化镓芯片背面涂覆有高导热/或高导热散热胶/或贴有高导热DAF膜与上方的高导热晶片粘贴，形成高密度的互联重构芯片，重构芯片通过金属凸点与基板焊接互联，在基板与重构芯片顶部盖有散热盖，或者在基板上贴装散热环同时在重构芯片顶部盖有散热鳍片，使散热盖或散热鳍片与高导热晶片直接粘接接触，砷化镓芯片经高导热晶片、散热盖或散热鳍片将内部热量传导出去。本申请相较于传统的砷化镓芯片嵌入式封装结构而言，塑封料减少且塑封厚度减薄，能够减少翘曲，就封装方法而言能降低加工难度，且导热效果显著提高。