半导体芯片互联器件、其制造方法及功率模块

本申请公开了一种半导体芯片互联器件、其制造方法及功率模块，包括通用电极层；半导体功能层，与通用电极层层叠设置，半导体功能层包括至少两个半导体单元；第一图案化金属层，层叠设置于半导体功能层背向通用电极层的一侧，第一图案化金属层包括对应各半导体单元的栅电极和发射极；第二图案化金属层，层叠设置于第一图案化金属层背向半导体功能层的一侧且通过介质层间隔设置，第二图案化金属层包括间隔设置的栅电极互联结构和发射极互联结构，栅电极互联结构连接至少两个栅电极，发射极互联结构连接至少两个发射极。本申请的半导体芯片互联器件、其制造方法及功率模块旨在降低芯片器件的寄生参数并提升整体散热效果，以提升器件的整体性能。