一种Micro-LED微显示器件及其制备方法

本发明公开了一种Micro‑LED微显示器件及其制备方法，涉及半导体显示技术领域，通过简单的技术方案即可解决现有技术中存在的光学串扰、电流分布不均的问题。制备方法包括以下步骤：在衬底上生长GaN基外延层；对GaN基外延层进行台面刻蚀，在中心区域形成Micro‑LED像素阵列，在四周区域形成环状台面，在环状台面上形成凹槽阵列；在GaN基外延层上制备钝化层；在预设电极接触区域刻蚀钝化层形成开孔；同步制备P电极阵列、N电极布线和N电极，完成Micro‑LED芯片的制备；在驱动晶圆的表面制备阳极金属凸点阵列及阴极金属凸点阵列；将Micro‑LED芯片转移至驱动晶圆，P电极阵列与阳极金属凸点阵列键合，N电极与阴极金属凸点阵列键合；去除衬底。