边缘耦合器及其制造方法、光子集成电路芯片以及人工智能设备

本发明涉及芯片领域，其提供了边缘耦合器及其制造方法、光子集成电路芯片以及人工智能设备。边缘耦合器的制造方法，包括：形成第一刻蚀停止层；去除所述第一刻蚀停止层的至少一部分，以形成第一耦合波导，其中，所述第一耦合波导包括用于与外界光进行耦合的端部，以用于所述边缘耦合器与外界光进行耦合。