基于电磁-力-微磁耦合射频MEMS磁电天线芯片分析方法

本发明提供了基于电磁‑力‑微磁耦合射频MEMS磁电天线芯片分析方法。涉及射频微机电系统领域，该分析技术涉及多物理场仿真，基于现有的静电‑力‑静磁耦合MEMS磁电天线仿真技术，开创性地引入微磁学铁磁共振理论和全动态Maxwell方程，本技术方法可直接仿真分析新型异质结构射频MEMS磁电天线近场辐射特性。该方法包括：建立MEMS磁电天线芯片的三维几何模型，并对三维几何模型进行几何、材料参数设置，设置三维几何模型的边界条件并进行网格剖分，在传统压电模块和压磁模块耦合的基础上引入微磁学模块，从而得以构建电磁‑力‑微磁耦合方程，包括描述电磁波的Maxwell方程、描述声学效应的牛顿力学运动方程以及描述磁化动力学的LLG方程。