半导体芯片缺陷检测定位方法及系统
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半导体芯片缺陷检测定位方法及系统
申请号:
CN202511024090
申请日期:
2025-07-24
公开号:
CN120928156B
公开日期:
2025-12-26
类型:
发明专利
摘要
本发明提供半导体芯片缺陷检测定位方法及系统,涉及半导体芯片检测技术领域,包括获取原始图像及电学测试数据;基于局部密度分析形成缺陷候选区域;对电学数据执行变分模态分解并标记电特性异常点;将图像特征映射至电特性空间并计算互信息值确定缺陷点;计算扩散场分布及路径并确定缺陷严重程度。本发明实现了芯片缺陷的精确定位与严重程度评估,提高了检测效率和准确性。
技术关键词
异常点
半导体芯片
时空演化规律
检测定位方法
像素点
密度
高斯核函数
参数
强度
图像灰度共生矩阵
频率
信息熵
计算机程序指令
多尺度特征金字塔
偏差
采样点
非线性
检测定位系统
协方差矩阵
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