一种SiC MOSFET导通电流提取电路及方法
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一种SiC MOSFET导通电流提取电路及方法
申请号:
CN202511025216
申请日期:
2025-07-24
公开号:
CN120915278A
公开日期:
2025-11-07
类型:
发明专利
摘要
本发明涉及功率半导体器件在线监测与电力电子系统控制,尤其涉及一种SiC MOSFET导通电流提取电路及方法,通过二阶无源RC滤波电路有效抑制高频振荡干扰,结合深度符号优化算法建立的精确数学模型,在50A‑300A电流范围内实现≤1.5%的测量误差,满足智能门极驱动器对高精度电流反馈的需求,测量精度显著提升;通过采用脉冲宽度直接解析技术,省去传统主动积分器和数字解码环节,系统响应延迟≤500ns,可支持微秒级过流保护,使响应速度与实时性优化,显著提升高频应用场景下的系统安全性。
技术关键词
脉冲宽度信号
电力电子系统控制
Rogowski线圈
电路
信号处理单元
互感系数
高频振荡
精确数学模型
门极驱动器
功率半导体器件
神经网络参数
表达式
电流模型
解析技术
滤波
符号
测量误差
电压