一种SiC MOSFET导通电流提取电路及方法

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一种SiC MOSFET导通电流提取电路及方法
申请号:CN202511025216
申请日期:2025-07-24
公开号:CN120915278A
公开日期:2025-11-07
类型:发明专利
摘要
本发明涉及功率半导体器件在线监测与电力电子系统控制,尤其涉及一种SiC MOSFET导通电流提取电路及方法,通过二阶无源RC滤波电路有效抑制高频振荡干扰,结合深度符号优化算法建立的精确数学模型,在50A‑300A电流范围内实现≤1.5%的测量误差,满足智能门极驱动器对高精度电流反馈的需求,测量精度显著提升;通过采用脉冲宽度直接解析技术,省去传统主动积分器和数字解码环节,系统响应延迟≤500ns,可支持微秒级过流保护,使响应速度与实时性优化,显著提升高频应用场景下的系统安全性。
技术关键词
脉冲宽度信号 电力电子系统控制 Rogowski线圈 电路 信号处理单元 互感系数 高频振荡 精确数学模型 门极驱动器 功率半导体器件 神经网络参数 表达式 电流模型 解析技术 滤波 符号 测量误差 电压