一种光学邻近校正方法及光刻掩膜生成模型

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一种光学邻近校正方法及光刻掩膜生成模型
申请号:CN202511038131
申请日期:2025-07-25
公开号:CN120595532A
公开日期:2025-09-05
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种光学邻近校正用光刻掩膜生成模型,所述光刻掩膜生成模型包括由坐标卷积模块组成的编码器以及由卷积模块组成的解码器;所述编码器对输入特征图进行空间特征提取,以获得输入的设计版图中每个像素坐标具体位置;所述解码器将编码器的输出特征映射回原始输入维度,以生成预测输出;在输入特征图中增加坐标通道得到修改后的输入特征图,所述编码器接收修改后的输入特征图的坐标卷积模块的卷积核维度相应增加,增加的所述坐标通道用于提高所述编码器获取设计版图空间位置信息的能力,本发明还提供了一种光学邻近校正方法,使用本发明提供的一种光学邻近校正用光刻掩膜生成模型进行训练,以提高校正精度。
技术关键词
光刻掩膜 光学邻近校正方法 卷积模块 编码器 版图 解码器 坐标 空间特征提取 子模块 像素 输出特征 优化光刻 通道 随机梯度下降 分辨率 上采样 批量 芯片