摘要
本发明提供了一种Micro‑LED热仿真方法及装置,其中,方法包括:基于Micro‑LED阵列建立坐标系,并获取其中一像素点的特征坐标,特征坐标:将Micro‑LED阵列的光流明分布归一化成占空比分布;根据光学占空比分布数据,得到Micro‑LED阵列中各像素点不同结构层的功率分布参数;结合像素点的特征坐标,得到Micro‑LED阵列中各像素点的三维功率密度数据集,并导入Micro‑LED热仿真软件映射至3D数据进行热仿真。能够同时Micro‑LED阵列中所有像素点的三维功率密度数据集进行仿真,从而大大提高了Micro‑LED的热仿真精度,更好地识别热量风险。