一种Micro-LED热仿真方法及装置

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一种Micro-LED热仿真方法及装置
申请号:CN202511039333
申请日期:2025-07-28
公开号:CN120951544A
公开日期:2025-11-14
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种Micro‑LED热仿真方法及装置,其中,方法包括:基于Micro‑LED阵列建立坐标系,并获取其中一像素点的特征坐标,特征坐标:将Micro‑LED阵列的光流明分布归一化成占空比分布;根据光学占空比分布数据,得到Micro‑LED阵列中各像素点不同结构层的功率分布参数;结合像素点的特征坐标,得到Micro‑LED阵列中各像素点的三维功率密度数据集,并导入Micro‑LED热仿真软件映射至3D数据进行热仿真。能够同时Micro‑LED阵列中所有像素点的三维功率密度数据集进行仿真,从而大大提高了Micro‑LED的热仿真精度,更好地识别热量风险。
技术关键词
LED阵列 像素点 仿真方法 荧光层 仿真装置 芯片 仿真软件 层电极 顶点 密度 光辐射功率 坐标系 参数 层厚度 数据获取模块