一种针对小芯片晶圆的切割方法

本发明涉及晶圆切割技术领域，具体地说是一种针对小芯片晶圆的切割方法。包括如下步骤：S1，提供一个晶圆，通过激光对晶圆正面进行切割；S2，对激光半切后的晶圆，在正面贴保护膜；S3，晶圆正面朝下，通过研磨一体机，对晶圆背面进行减薄，减薄至晶圆分离出若干单颗的芯片晶粒；S4，减薄后的芯片晶粒背面再进行贴膜，接着撕去正面的保护膜；S5，进行扩膜处理，得到完全分离成单颗的芯片晶粒。同现有技术相比，利用激光切割稳定性高，应力释放小的特点，来解决芯片切割崩缺的问题，先激光切割至目标厚度再通过研磨把晶圆研磨至目标厚度后，分离成单颗芯片。