一种1-100GHz射频芯片在片测试的去嵌结构及去嵌方法

本发明属于射频微波技术领域，提供一种1‑100GHz射频芯片在片测试的去嵌结构及去嵌方法，用以解决现有技术中去嵌方法存在的精度低、频带窄的问题。本发明中去嵌结构包括：待测件测试结构及其同一衬底上的第一、第二、第三微带线测试结构，首先，基于第一微带线测试结构的ABCD参数得到测试夹具的ABCD参数；然后，基于第二、第三微带线测试结构优化校正测试夹具的ABCD参数；最后，基于待测件测试结构的ABCD参数、测试夹具的ABCD参数求解待测件的本征ABCD参数，并转换为待测件的本征S参数，完成去嵌。本发明覆盖1GHz–100GHz宽频带，具备高精度和强鲁棒性的优点，能够提升片上测试的准确性与可靠性。