摘要
本发明涉及PD快充电源技术领域，公开了基于LD969JL1芯片的快充控制电路，包括：电源输入端、浪涌保护电路、EMI滤波电路、整流电路、以及反激电路；所述反激电路包括初级侧反激电路和次级侧反激电路，所述初级侧反激电路包括吸收电路、LD969JL1芯片和电流采样电路，所述次级侧反激电路包括同步控制电路、以及协议电路。本发明可有效提高能量转换效率，降低开关损耗；并且由于GaN材料的高密度特性，同功率下的体积大幅缩减，比传统Si材质的MOS管晶圆体积减小，进而有效减小产品重量和尺寸大小，且由于功率器件和控制器件的合封，降低了MOS管开关时产生的工频信号和噪声干扰，有效降低了传导和辐射干扰。
